レーザーリフトオフは、特定の材料層を基板から正確に剥離するために用いられる技術です。このプロセスでは、波長が材料に特に選択されたレーザー光を材料間の接着界面近くにある特定の層へ照射し、その層を局所的に剥離させます。レーザーリフトオフは薄膜トランジスタや有機ELディスプレイなどの製造において特に重要であり、精度と効率の両方を要求される作業において、高い効果をもたらします。ナノメートル単位で制御されるため、精度の高い微細加工が可能であり、次世代の高性能デバイス開発に不可欠な技術です。
レーザーリフトオフでは、照射したレーザー光が特定層に吸収されて局所的に高温を発生させます。高温にすることで材料間の接着を解除し、特定の層における基板からの剥離が可能です。このプロセスは精密な制御により、損傷を最小限に抑えつつ材料を剥離できるため、極小サイズでの調整が必要なデバイスの製造にも適しています。この技術の応用により、従来の方法では困難だった高度な材料加工が実現可能となり、製品の品質向上が期待できるでしょう。レーザーの波長やパルス幅を精密に制御することで、精度をさらに高めることが可能です。
レーザーリフトオフは精密さと効率性から、電子機器や次世代ディスプレイなど幅広い産業分野において重要な技術となっています。レーザーリフトオフの応用による製品の性能向上や製造コストの削減が期待されており、今後もその活用範囲は拡大していくでしょう。半導体業界やディスプレイ製造業界では、製品の小型化と高性能化が進む中で、より精密な材料加工技術が求められているため、レーザーリフトオフ技術はその解決策の一つとして注目されています。また、再生医療やバイオチップの製造など、微細加工が必要な医療分野においても応用が期待されています。
レーザーリフトオフ技術は次世代ディスプレイの製造や修理において、画面の解像度と品質を高めるために不可欠です。微細な部品の精密な配置と修正が可能となり、高性能なディスプレイの生産が実現します。レーザーリフトオフの応用によって、製造過程における材料の破損リスクを大幅に低減できるため、製品の信頼性と耐久性が向上。さらに、修理プロセスにおいても、効率的かつ精密な作業が可能となり、コスト削減と生産性の向上が期待できます。
電子デバイスの製造プロセスにおいても、レーザーリフトオフ技術は重要な役割を担います。特に、集積回路やMEMSデバイスの製造において、精密な材料の加工と配置が求められるため、この技術により高精度な製造が可能になります。従来に比べて高い集積度と機能性を持つデバイスの製造が可能となり、産業界全体の技術革新を促進します。また、エネルギー効率の良い製品の開発にも貢献し、環境負荷の低減にも繋がるため、持続可能な製造プロセスの構築にも役立っています。
UV、グリーン、1μmの3波長を自動切り替え、パルス幅は340fsから10psまで可変。各種材料に合ったレーザー光の選択&適した非熱加工が行えます。
20KWの高出力で20,000㎜/minを超える高速切断が可能、プラズマを上回る切断速度を実現。40㎜までの厚板切断に対応しています。
木材・アクリルはもちろん、紙、樹脂、革まで幅広い対象物に刻印・切断が可能。つまようじほどの細かな対象物にも微細な処理を施すことができます。